mos管电源开关（mos管 开关）

求详解:MOS管,三极管,功率管,开关管之间的联系与区别

1、区别在于MOS管使用电压控制开关状态而三极管是用电流控制开关状态。MOS管和三极管也可以不用做开关管，比如三极管经常工作于放大区用作电流放大器件，这是就不能算开关管。功率管是相对于信号管而言的。如果器件是用于控制功率转换的那么就是功率管了，如果只是用于传递信号的那就是信号管了。

2、MOS管，三极管属于两种不同类型管子，它们的区别在于，MOS管是单极性管子而三极管属于双极性管子，这个单极性和双极性的意思是来自于半导体内部载流子类型而区分出来的，所以单极性就是一种载流子而双极性就是两种载流子。

3、主体不同 MOS管：金属-氧化物半导体场效应晶体管，简称金氧半场效晶体管。三极管：半导体三极管，也称双极型晶体管、晶体三极管，是一种控制电流的半导体器件。作用不同 MOS管：管分为PMOS管和NMOS管，属于绝缘栅场效应管。

在开关电源设计中mos管本身功耗和什么密切相关

题主是否想询问“在开关电源设计中mos管本身功耗和什么因素密切相关”？电流，电压，开关频率。电流：MOS管的功耗与流过电流成正比。因此，通过减少电流可以降低功耗。电压：MOS管的功耗与两端的电压成正比。因此，通过降低电压可以降低功耗。开关频率：MOS管的功耗与开关频率成正比。

MOS开关管的选择，与开关电源的输出功率有关，与输入电压的波动范围有关，与电路中管子工作的激励方式和激励量有关。

开关电源的MOS管不是处于放大状态，而是只有截止-导通2个状态，2个状态下功耗都很小。

MOS管有开关状态吗?

1、P沟道mos管作为开关，栅源的阀值为-0.4V，当栅源的电压差为-0.4V就会使DS导通，如果S为8V，G为8V，那么GS=-1V，mos管导通，D为8V。如果S为8V，G为8V，VGSw，那么mos管不导通，D为0V，所以，如果8V连接到S，要mos管导通为系统供电，系统连接到D，利用G控制。

2、MOS管的开关状态是指在可变电阻区和夹断区之间切换（最佳），但也可以是恒流区和夹断区之间切换（不过不推荐，此时MOS管相当于工作在放大状态，外部电压大量加在DS上，导致UDS会很大，再加上电流，会引起MOS管明显发热）。

3、因此，在使用MOSFET作为开关时，我们可以通过控制控制极上的电压来控制MOSFET的开关状态。

4、区别在于MOS管使用电压控制开关状态而三极管是用电流控制开关状态。MOS管和三极管也可以不用做开关管，比如三极管经常工作于放大区用作电流放大器件，这是就不能算开关管。功率管是相对于信号管而言的。如果器件是用于控制功率转换的那么就是功率管了，如果只是用于传递信号的那就是信号管了。

如何选择开关电源上的MOS管

1、漏极-源极耐压Vdss，一般Vdss值大于MOS管的D极最大尖峰10%以上为安全值，D极最大尖峰电压指的是在AC264V输入时测试。

2、选在MOSFET一般有两个标准，一个温度，一个耐压。具体选择还要根据实际的电路情况。比如跟问题温度有关系的参数就包括，通过MOSFET的电流、散热情况、使用环境。电流的计算可以用输入功率除以输入最小电压除以占空比就可以。耐压相对就比较简单了，只要实际电路中MOSFET上的反压低于MOSFET的额定值就可以了。

3、Vds一般选用600V或者800V，Rds尽量小点的话效率会高点，还有就是承受电流的能力。别人10n60就是10A/600V的mos管。还有就是厂家，比如FairChild、SHIP等啊，差别蛮大的。

4、mos管可以通过观察器件外观，识别型号，确定功率来看型号和功率。观察器件的外观：晶体管通常有一个半导体的封装，上面会标有一些数字和字母。这些信息通常会包括型号和功率。识别型号：型号通常会包括制造商的标识、晶体管的类型(如N沟道或P沟道)、额定电压、额定电流等。

5、MOS开关管的选择，与开关电源的输出功率有关，与输入电压的波动范围有关，与电路中管子工作的激励方式和激励量有关。

6、当电源IC与MOS管选定之后， 选择合适的驱动电路来连接电源IC与MOS管就显得尤其重要了。一个好的MOSFET驱动电路有以下几点要求：(1)开关管开通瞬时，驱动电路应能提供足够大的充电电流使MOSFET栅源极间电压迅速上升到所需值，保证开关管能快速开通且不存在上升沿的高频振荡。