电磁炉2160的IGBT是什么大小（电磁炉igbth20r1203参数）

电磁炉中的IGBT额定功率

w~2000w是最高可以提供这么高的功率，但用时不见得就是这个功率，根据你的设定不同时功率会不同。

对于功率在2000W以下的电磁炉可选用最大电流为20A或25A的IGBT管，如25Q101等；对于功率等于或大于2000W的电磁炉应选用最大电流为40A的IGBT管，如GT40T301等。如果一时没有大电流IGBT管，可用两只小电流的IGBT管并联(两只管的c、e、G极分别连在一起)代用。

电磁炉常用的IGBT管型号及参数如下：G40N60D150表示电磁炉用IGBT管，型号为G40N60D，最高耐压为1500V，额定电流为40A。G40N120D150表示电磁炉用IGBT管，型号为G40N120D，最高耐压为1500V，额定电流为40A。

关系不大，整流桥一般是25A的，igbt一般是20-25A的。电磁炉功率与电流控制有关。

电磁炉上关键元器件的作用GBT功率管、整流桥堆 GBT 功率管，功率输出控制器件 IGBT 在大致相同工作电流下各品牌一般都可通用，2000W 以下 一般使用额定电流在20~25A的IGBT管。IGBT管在工作过程中会 发热，应加散热片进行散热。在装配过程中应均匀涂抹散热硅 脂，并紧接触散热片进行安装。

电磁炉的IGBT跟桥式整流堆有大小没有?怎么认?

那是肯定有的。例如：IGBT 25N120的25指的是25安，120指的是1200V。

分析原因：如果整流桥击穿，则220v交流直接短路。②c102两端有电压，判断为igbt坏，换上后故障排除。分析原因：c102两端有电压，说明桥式整流的直流输出正常，如果igbt的两个输出脚击穿，则相当于直流短路。③桥流桥及igbt都没有坏，但依然烧保险，ia8316s集成块坏，换上后故障排除。

①首先将电磁线盘的接线脚断开换上保险管，测量电容C102两端电压，一般桥式整流的直流输出电压为220V-300V，如无电压或继续烧保险，判断为桥式整流块坏。 分析原因：如果整流桥击穿，则220V交流直接短路。 ②C102两端有电压，判断为IGBT坏，换上后故障排除。

电磁炉igbt稳压二极管型号

电磁炉igbt稳压二极管型号有2CW103/1W和2CW113/1W。目前，用于电磁炉的IGBT管主要由：AIRCHILD(美国仙童)、INFINEON(德国英飞凌)、TOSHIBA(日本东芝)等几家国外公司生产。

H20R1353可以用H20R1203代换，H20R1203参数：1200V20A48Ⅴ；H20R1353参数：1350Ⅴ20A6Ⅴ。IGBT是电磁炉常常容易损坏的元器件之一，由于 IGBT 管工作在高电压、大电流、温度高状态，一般不超过2000W的电磁炉在相同的条件选择20A~30A的IGBT即可。

电磁炉常用的IGBT管型号及参数如下：G40N60D150表示电磁炉用IGBT管，型号为G40N60D，最高耐压为1500V，额定电流为40A。G40N120D150表示电磁炉用IGBT管，型号为G40N120D，最高耐压为1500V，额定电流为40A。

电磁炉中IGBT型号有什么区别吗?

1、MOSFET也是电磁炉中常见的功率管类型，与IGBT相比，MOSFET具有更快的开关速度和更低的导通电阻。MOSFET的型号同样根据其电流容量、电压容量和其他参数进行命名。例如，常用的MOSFET型号有IRFP460、IRFP250等。MOSFET适用于中小功率电磁炉，能够满足快速加热和高效能的要求。

2、电磁炉中的IGBT，H20R1202和H20R1203的区别是设计序号不同。IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，绝缘栅双极型晶体管。

3、是一样大的。电磁炉IGBT就是大功率管，其耐压值及电流值在代替范围内都可以通用，比如：H20R1203损坏，可以用H25R1230代替，都是电磁炉IGBT管，后者只是电流值大一些在实际使用中更不容易损坏。

4、区别就是设计序号不同，但是电流20A，耐压1200V，可以互换。IGBT是绝缘栅双极型晶体管。型号的前一组数字表示该IGBT的额定工作电流（A），如上述型号20表示额定工作电流为20A；后一组数字的前3位×10表示该IGBT的最大关断电压（V），如上述120表示最大关断电压为1200V；最后一位数字是设计序号。

5、电磁炉常用的IGBT管型号及参数如下：G40N60D150表示电磁炉用IGBT管，型号为G40N60D，最高耐压为1500V，额定电流为40A。G40N120D150表示电磁炉用IGBT管，型号为G40N120D，最高耐压为1500V，额定电流为40A。

那位师父说一下,电磁炉的功率大小是跟IGBT和整流桥的A数有关系吗?

关系不大，整流桥一般是25A的，igbt一般是20-25A的。电磁炉功率与电流控制有关。

从理论上讲，只要保持线圈的安匝数不变，电磁炉的功率就不变，线圈的直径大小并不影响电磁炉的功率。但要保持线圈的安匝数不变，线圈的直径改变后线圈的尺寸发生了变化，其电抗数值也发生变化，就如一楼的朋友所说，谐振电容值及其它元器件的参数也将发生变化，这等于需要重新进行设计。

GW20NC60VD是“ST”公司，N沟道，30A600V，TO-247封装，超快速IGBT，场效应管替代比较复杂，不能仅考虑耐压、电流，还要考虑跨导、导通电阻、响应时间…，最好选原型号或同系列的高参数管替代。看第二个图，响应时间30多nS，建议淘宝上买原型号，起码价格可以作为参考。

IGBT有三个电极(见上图)， 分别称为栅极G(也叫控制极或门极) 、集电极C(亦称漏极) 及发射极E(也称源极) 。 从IGBT的下述特点中可看出， 它克服了功率MOSFET的一个致命缺陷， 就是于高压大电流工作时， 导通电阻大， 器件发热严重， 输出效率下降。 IGBT的特点： 电流密度大， 是MOSFET的数十倍。

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一个电磁炉上的三个igbt是一样大的吗

1、是一样大的。电磁炉IGBT就是大功率管，其耐压值及电流值在代替范围内都可以通用，比如：H20R1203损坏，可以用H25R1230代替，都是电磁炉IGBT管，后者只是电流值大一些在实际使用中更不容易损坏。

2、电磁炉中的IGBT（绝缘栅双极晶体管）是电磁炉的一个重要组成部分，主要负责在供电频率下快速打开和关闭电源，从而产生变化的磁场。简单来说，电磁炉通过交流电通过绕组产生交变磁场，然后使底部的磁性材料产生涡流，从而达到加热的效果。而对交流电进行切换的就是IGBT这个元件。

3、H20R1203可以使用电磁炉IGBT管FGA25N120进行替换。IGBT管的性能不能光看它的电流与反压。还有饱和压降、频率响应都是重要指标。就后俩参数来讲，H20R1203优于FGA25N120。但差别不大。所以FGA25N120是正品的话，一般都可以代换H20R1203。FGA25N120为内带阻尼管的场效应管。

4、电磁炉中的IGBT，H20R1202和H20R1203的区别是设计序号不同。IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，绝缘栅双极型晶体管。