fga25n120是什么管（fga20s120m是什么管）

fga25n120是什么管子

1、FGA25N120是仙童公司的产品，是IGBT管，是一种复合管，封装形式TO-3P ，主要参数是1200V /25A ，内部包含续流二极管。IGBT是绝缘栅双极型晶体管，是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件， 兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。

2、fga25n120是一种集电极直流电流晶体管，最大功耗312WC。该晶体管类型为IGBT，集电极直流电流为50A，饱和电压，Vce sat最大为5V，最大功耗312W，电压Vceo是1200V，工作温度范围在-55°Cto+150°C。凡是电流方向不随时间变化的电流称为直流电流。电流值可以全为正值，也可以全为负值。

3、FGA25N120为内带阻尼管的场效应管IGBT有三个电极， 分别称为栅极G(也叫控制极或门极) 、集电极C(亦称漏极) 及发射极E(也称源极)用指针式万用表对场效应管进行判别(1)用测电阻法判别结型场效应管的电极根据场效应管的PN结正、反向电阻值不一样的现象，可以判别出结型场效应管的三个电极。

FGA25N120是什么管?

1、fga25n120是一种集电极直流电流晶体管，最大功耗312WC。该晶体管类型为IGBT，集电极直流电流为50A，饱和电压，Vce sat最大为5V，最大功耗312W，电压Vceo是1200V，工作温度范围在-55°Cto+150°C。凡是电流方向不随时间变化的电流称为直流电流。电流值可以全为正值，也可以全为负值。

2、FGA25N120是仙童公司的产品，是IGBT管，是一种复合管，封装形式TO-3P ，主要参数是1200V /25A ，内部包含续流二极管。IGBT是绝缘栅双极型晶体管，是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件， 兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。

3、FGA25N120不是三极管。它是一款可以工作在高电压大功率（1200V、50A）下的N沟道IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，绝缘栅双极型晶体管，是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件， 兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。

4、H20R1203可以使用电磁炉IGBT管FGA25N120进行替换。IGBT管的性能不能光看它的电流与反压。还有饱和压降、频率响应都是重要指标。就后俩参数来讲，H20R1203优于FGA25N120。但差别不大。所以FGA25N120是正品的话，一般都可以代换H20R1203。FGA25N120为内带阻尼管的场效应管。

5、FGA25N120，电流25A，耐压1200V。FGA15N120，电流15A，耐压1200V.K25T120，电流25A耐压1200V。可互换，FGA15N120电流稍少了些，1500W以下可用。

6、FGA25N120不是三极管，它是一款可以工作在高电压大功率（1200V、50A）下的N沟道 IGBT。IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，绝缘栅双极型晶体管，是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件，兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。

fga25n120是什么管

1、fga25n120是一种集电极直流电流晶体管，最大功耗312WC。该晶体管类型为IGBT，集电极直流电流为50A，饱和电压，Vce sat最大为5V，最大功耗312W，电压Vceo是1200V，工作温度范围在-55°Cto+150°C。凡是电流方向不随时间变化的电流称为直流电流。电流值可以全为正值，也可以全为负值。

2、FGA25N120是仙童公司的产品，是IGBT管，是一种复合管，封装形式TO-3P ，主要参数是1200V /25A ，内部包含续流二极管。IGBT是绝缘栅双极型晶体管，是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件， 兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。

3、FGA25N120不是三极管。它是一款可以工作在高电压大功率（1200V、50A）下的N沟道IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，绝缘栅双极型晶体管，是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件， 兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。

电磁炉IGBT管可以用什么替换?

1、H20R1203可以使用电磁炉IGBT管FGA25N120进行替换。IGBT管的性能不能光看它的电流与反压。还有饱和压降、频率响应都是重要指标。就后俩参数来讲，H20R1203优于FGA25N120。但差别不大。所以FGA25N120是正品的话，一般都可以代换H20R1203。FGA25N120为内带阻尼管的场效应管。

2、H20R1KGH15N1SGW25N120等场效应管都可以。

3、替换管的代用参数大些比小的好 对于功率在2000W以下的电磁炉可选用最大电流为20A或25A的IGBT管，如25Q101等；对于功率等于或大于2000W的电磁炉应选用最大电流为40A的IGBT管，如GT40T301等。如果一时没有大电流IGBT管，可用两只小电流的IGBT管并联(两只管的c、e、G极分别连在一起)代用。

4、H20R1202功率管电流是20A、耐压1200V，用其它型号的IGBT管都可以代换；IGBT功率管损坏，都是击穿，测CE极电阻就可以了。IGBT管极间开路的很少见。

电磁炉功率管FGA25N120是硅管吗?

1、FGA25N120是仙童公司的产品，是IGBT管，是一种复合管，封装形式TO-3P ，主要参数是1200V /25A ，内部包含续流二极管。IGBT是绝缘栅双极型晶体管，是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件， 兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。

2、fga25n120为IGBT IGBT结构图 左边所示为一个N沟道增强型绝缘栅双极晶体管结构， N+区称为源区，附于其上的电极称为源极（即发射极E）。P+区称为漏区。器件的控制区为栅区，附于其上的电极称为栅极（即门极G）。沟道在紧靠栅区边界形成。

3、h20r1203是大功率场效应管，不能用两三极管的办法测量。测量时字面面对自己管脚朝下，由左到右分别是 G 极 D极 S极 。用指针万用表打到X10K档或X1K档可以触发场效应管，让它工作。

FGA25N120是什么三极管

FGA25N120是仙童公司的产品，是IGBT管，是一种复合管，封装形式TO-3P ，主要参数是1200V /25A ，内部包含续流二极管。IGBT是绝缘栅双极型晶体管，是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件， 兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。

FGA25N120不是三极管。它是一款可以工作在高电压大功率（1200V、50A）下的N沟道IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，绝缘栅双极型晶体管，是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件， 兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。

FGA25N120不是三极管，它是一款可以工作在高电压大功率（1200V、50A）下的N沟道 IGBT。IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，绝缘栅双极型晶体管，是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件，兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。